Qualcomm Snapdragon 835 mit Quick Charge 4.0 angekündigt

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Samsung Qualcomm Snapdragon 835

Jetzt wurde der neue Qualcomm Snapdragon 835 mit Quick Charge 4.0 angekündigt. Dieser wird von Samsung im 10 nm-Verfahren hergestellt. Der neue Prozessor wird für die Flaggschiffe im nächsten vorbehalten sein, erste Modelle werden bereits im ersten halben Jahr erwartet.

Wenn im kommenden Jahr die neuen Flaggschiffe wie Samsung Galaxy S8, HTC 11 oder auch das LG G6 vorgestellt werden, dann könnte im Inneren dieser Modelle womöglich der Qualcomm Snapdragon 835 werkeln. Im punkto Leistung soll der neue Prozessor den Vorgänger deutlich übertreffen. Doch auch die Akkulaufzeit und das Design neuer Smartphones werden durch den Qualcomm Snapdragon 835 beeinflusst. Dank der 10 nm-Bauweise fällt die Betriebsspannung geringer aus, das soll für 27 Prozent mehr Leistung und 40 Prozent weniger Energieverbrauch sorgen. Und dank seiner geringeren Größe können zukünftige Smartphones auch kompakter designed werden.

Der neue Qualcomm Snapdragon 835 bringt aber auch Quick Charge 4.0 mit. Die neue Quick Charge Technologie stellt neue Rekorde auf. So soll das Smartphone in nur 5 Minuten soweit aufgeladen werden, dass es dann ganze 5 Stunden durchhält. In nur 15 Minuten soll der Akku dann zu 50 Prozent aufgeladen sein. Ferner können Spannungen von bis zu 20 Volt angelegt werden. Der Akku selbst soll beim Ladevorgang rund 5 Grad kühler bleiben als bisher. Und was für die meisten jetzt besonders wichtig sein dürfte, in Quick Charge 4 gibt es eine ganze Reihe an neuen Sicherheitsstandards. So muss jetzt auch das Ladekabel dem 3A-Standard oder höher entsprechen und auch die dritte Version der „Intelligent Negotiation for Optimum Voltage“-Technologie ist jetzt mit an Bord, dieser sorgt dafür, dass hier kontinuierlich die Akku-Temperatur gemessen und daran dessen die optimale Energieaufnahme berechnet wird. Das ganze funktioniert übrigens nur noch mit einem USB Typ C-Kabel und dem passenden Ladeanschluss.

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